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Röhm News
NUEVO EDIFICIO ROHM EN CHIKUGO (JAPÓN) PARA LA EXPANSIÓN DE LA CAPACIDAD DE PRODUCCIÓN DE DISPOSITIVOS DE POTENCIA SIC
ROHM ha celebrado recientemente una ceremonia de apertura anunciando la finalización de un nuevo edificio en la planta de ROHM Apollo en Chikugo para incrementar la capacidad de producción de dispositivos de potencia de SiC.
El nuevo edificio es una fábrica ecológica de última generación que introduce una serie de tecnologías de ahorro energético en sus instalaciones de producción, y el 100% de su electricidad proviene de fuentes de energía renovables.
Además, ROHM ha fortalecido su sistema BCM (Business Continuity Management) mediante la introducción de diversas contramedidas ante posibles desastres. Y a partir de enero de 2021, ROHM comenzará a instalar equipos de producción y a construir un sistema de fabricación que pueda satisfacer los aumentos de mediano a largo plazo en la demanda de dispositivos de potencia de SiC.
ROHM, que ha estado produciendo en masa dispositivos de potencia de SiC, incluidos SBD y MOSFET de SiC desde 2010, continúa liderando la industria en desarrollo tecnológico. Al mismo tiempo, con su sistema de producción integrado, ROHM mejora continuamente su eficiencia de producción aumentando el diámetro de las obleas y utilizando los equipos más modernos, al tiempo que reduce el impacto ambiental de la fabricación.
Además de este nuevo edificio, está previsto que SiCrystal GmbH, una empresa del Grupo ROHM que fabrica obleas de SiC, comience a operar con energía 100% renovable a partir del próximo año fiscal, reduciendo a cero las emisiones de CO2 de la energía utilizada en la planta. Como resultado, todos los principales procesos de producción de obleas de SiC utilizarán energía renovable respetuosa con el medio ambiente.
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