LOS NUEVOS MOSFET DE CANAL P DE 5ª GENERACIÓN OFRECEN UNA BAJA RESISTENCIA EN CONDUCCIÓN LÍDER EN SU CATEGORÍA

ROHM lanza una gama de 24 modelos de MOSFETs de canal P con tensiones no disruptivas de -40 V/-60 V y entrada de 24 V, disponibles tanto en configuraciones simples (RQxxxxxAT/ RDxxxxxAT/RSxxxxxAT/RFxxxxxAT) como duales (UTxxx5/ QHxxx5/SHxxx5): la opción ideal para aplicaciones industriales y de consumo en sectores como el de la automatización de fábricas, la robótica y los sistemas de aire acondicionado.




En los últimos años, la demanda de mayor eficiencia y densidad de potencia está impulsando la adopción de mayores tensiones de entrada en las aplicaciones industriales y de consumo, y exigiendo a la vez a los MOSFET no solo una baja resistencia en conducción, sino también altas tensiones no disruptivas.

Existen dos tipos de MOSFET: de canal N y canal P. Aunque los tipos de canal N generalmente presentan una mayor eficiencia cuando se usan en el lado alto, se necesita una tensión de puerta más alta que la tensión de entrada, lo que complica la configuración del circuito. Por otro lado, los MOSFET del canal P pueden accionarse con una tensión de puerta inferior a la tensión de entrada, simplificando así considerablemente la configuración del circuito y reduciendo a la vez la carga de diseño.

En este contexto, ROHM ha desarrollado los MOSFET de canal P de baja resistencia en conducción de -40 V/-60 V compatibles con entrada de 24 V y que utilizan un avanzado y mejorado proceso de 5ª generación. Basados en la estructura de MOSFET de canal P de ROHM, plenamente acreditada en el mercado, estos nuevos productos aprovechan la tecnología de proceso mejorado para lograr la menor resistencia en conducción por unidad de área en su categoría. Esto se traduce en un 62 % menos de resistencia en conducción frente a los productos convencionales para los nuevos productos de -40 V y un 52 % para los nuevos productos de -60 V.

Al mismo tiempo, se mejora la calidad optimizando la estructura del dispositivo y adoptando un nuevo diseño que mitiga la concentración del campo eléctrico. Como resultado, se consigue una alta fiabilidad y una baja resistencia en conducción (que normalmente están en una relación de compensación). Estas soluciones contribuyen a un funcionamiento estable a largo plazo en equipos industriales que exigen una calidad excepcional.

ROHM continúa desarrollando una serie de encapsulados para una amplia gama de aplicaciones, incluyendo productos optimizados para el sector de la automoción. Además de estos MOSFET de canal P de 5ª generación, estamos desarrollando MOSFETs de canal N de mayor eficiencia para reforzar nuestra gama para estaciones base y servidores de centros de datos 5G, donde la demanda continúa al alza. Estos productos contribuyen a reducir la carga de diseño de las aplicaciones y a aumentar la eficiencia y la fiabilidad.




Gama de productos


 


Disponibilidad: en la producción en masa

Ejemplos de aplicación

www.rohm.com