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Rohm Semiconductors News

Los nuevos IGBT de 1200 V de ROHM consiguen unas características de baja pérdida líderes* en la industria con una alta tolerancia al cortocircuito

Contribuyen a aumentar la eficiencia de los compresores eléctricos en automoción y los inversores para equipos industriales.

Los nuevos IGBT de 1200 V de ROHM consiguen unas características de baja pérdida líderes* en la industria con una alta tolerancia al cortocircuito

ROHM ha desarrollado nuevos IGBT de 4.ª generación de 1200 V con calificación AEC-Q101 de calidad automotriz que combinan características de baja pérdida líderes en su categoría* con una alta resistencia al cortocircuito. Esto hace que los dispositivos sean ideales para compresores eléctricos de vehículos y calentadores de alta tensión, así como para inversores industriales. La gama actual incluye cuatro modelos —RGA80TRX2HR / RGA80TRX2EHR / RGA80TSX2HR / RGA80TSX2EHR— en dos tipos de encapsulado discreto (TO-247-4L and TO-247N), junto con 11 variantes de bare chip —SG84xxWN— con planes de ampliar la gama en el futuro.


Los nuevos IGBT de 1200 V de ROHM consiguen unas características de baja pérdida líderes* en la industria con una alta tolerancia al cortocircuito

El uso cada vez más extendido de tensiones más altas en sistemas de automoción y equipos industriales ha provocado un aumento de la demanda de dispositivos de potencia capaces de manejar altas tensiones en aplicaciones como pueden ser los compresores eléctricos de vehículos, los calentadores de alta tensión y los inversores para equipos industriales. Al mismo tiempo, existe una fuerte tendencia al uso de dispositivos de alimentación de alta eficiencia para mejorar la conservación de la energía, mecanismos de refrigeración simplificados y factores de forma más pequeños para una sociedad descarbonizada. Los componentes eléctricos en automoción también deben cumplir las normas de fiabilidad para automoción, mientras que los dispositivos de alimentación para circuitos inversores y calentadores deben proporcionar capacidad de interrupción de corriente durante cortocircuitos, lo que requiere una alta tolerancia a los cortocircuitos.

En respuesta a ello, ROHM rediseñó la estructura del dispositivo y adoptó un encapsulado adecuado para desarrollar nuevos IGBT de 4.ª generación aptos para alta tensión, al ofrecer características industriales de baja pérdida con una tolerancia superior a los cortocircuitos. Estos dispositivos consiguen un tiempo de resistencia al cortocircuito líder* en la industria de 10 µs (Tj=25°C) junto con bajas pérdidas por conmutación y conducción, manteniendo una alta tensión de resistencia de 1200 V y cumpliendo las normas de automoción mediante la revisión de la estructura del dispositivo, incluido el diseño periférico. Al mismo tiempo, los nuevos productos de encapsulado TO-247-4L, que incorporan 4 terminales, pueden soportar una tensión efectiva de 1100 V en un «grado de contaminación 2» garantizando una línea de fuga adecuada entre pines. Esto permite la compatibilidad de aplicaciones de mayor tensión que los productos convencionales.

La aplicación de medidas de línea de fuga en el lado del dispositivo alivia la carga de diseño para los fabricantes. Además, el encapsulado TO-247-4L permite la conmutación de alta velocidad al incluir un terminal de emisor Kelvin, lo que reduce aún más las pérdidas. De hecho, al comparar la eficiencia de los nuevos encapsulados TO-247-4L con productos convencionales y estándar en un inversor trifásico, las pérdidas se reducen en torno a un 24 % en comparación con los productos estándar y a un 35 % con respecto a los productos convencionales, lo que contribuye a una mayor eficiencia en aplicaciones de accionamiento.


Los nuevos IGBT de 1200 V de ROHM consiguen unas características de baja pérdida líderes* en la industria con una alta tolerancia al cortocircuito

ROHM seguirá ampliando su gama de IGBT de alto rendimiento que contribuyen a una mayor miniaturización y a un accionamiento de alta eficiencia en aplicaciones de automoción y equipos industriales.

Gama de productos
Discretos


Los nuevos IGBT de 1200 V de ROHM consiguen unas características de baja pérdida líderes* en la industria con una alta tolerancia al cortocircuito

Bare Chips

Los nuevos IGBT de 1200 V de ROHM consiguen unas características de baja pérdida líderes* en la industria con una alta tolerancia al cortocircuito

Ejemplos de aplicación
Compresores eléctricos para automoción
Calentadores de alta potencia para automoción (PTC/calentadores de refrigerante)
Inversores para equipos industriales

Información de ventas en línea
Fecha de inicio de venta: disponible
Distribuidores en línea: DigiKey™, Mouser™ y Farnell™
Los productos serán ofrecidos por otros distribuidores en línea a medida que estén disponibles.
N.º de pieza aplicable: RGA80TRX2HR, RGA80TRX2EHR, RGA80TSX2HR, RGA80TSX2EHR

Información de soporte
Desde el sitio web oficial de ROHM, los usuarios pueden descargar diversos materiales necesarios para el diseño de circuitos, incluidos modelos SPICE que reproducen fielmente las características eléctricas de los productos mediante simulación.

Módulos semiconductores de potencia de Semikron Danfoss equipados con la serie RGA
La serie RGA de IGBT de 1200 V de ROHM ha sido adoptada en la serie MiniSKiiP® de Semikron Danfoss de módulos semiconductores de potencia con corrientes nominales de 10 A a 150 A. Haga clic aquí para obtener más información.

www.rohm.com

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