ROHM fabrica HEMT GaN de 650 V con un rendimiento líder en su clase

ROHM ha comenzado la producción en masa de los HEMT de GaN de 650 V GNP1070TC-Z y GNP1150TCA-Z, desarrollados conjuntamente con Ancora Semiconductors.

La mejora de la eficiencia de las fuentes de alimentación y los motores, que representan la mayor parte del consumo mundial de electricidad, se ha convertido en todo un desafío para lograr una sociedad descarbonizada. La adopción de nuevos materiales, como el GaN y el SiC es clave para mejorar la eficiencia de las fuentes de alimentación.

Tras iniciar la producción en masa de los HEMT de GaN de 150 V —que presentan una tensión de ruptura de puerta de 8 V en el año 2022— ROHM creó en marzo de 2023 la tecnología de CI de control para maximizar el rendimiento del GaN. En esta ocasión, ROHM ha desarrollado los HEMT de GaN de 650 V con un rendimiento líder en el mercado que contribuye a una mayor eficiencia y un menor tamaño en una gama más amplia de sistemas de alimentación eléctrica.

El GNP1070TC-Z y el GNP1150TCA-Z ofrecen un rendimiento líder en la industria en términos de RDS(ON) × Ciss / RDS(ON) × Coss, un factor de mérito para los HEMT de GaN, que se traduce en una mayor eficiencia en los sistemas de alimentación eléctrica. Al mismo tiempo, un elemento de protección ESD integrado mejora la resistencia a la ruptura electrostática hasta 3,5 kV, con lo cual aumenta la fiabilidad de las aplicaciones. Las características de conmutación de alta velocidad de los HEMT de GaN también contribuyen a una mayor miniaturización de los componentes periféricos.

ROHM continúa mejorando el rendimiento de los dispositivos a través de su gama EcoGaN™ de dispositivos de GaN, que contribuye a un mayor ahorro de energía en las aplicaciones y a una mayor miniaturización. Al mismo tiempo que desarrollamos los productos de ROHM, también favorecemos el desarrollo común mediante asociaciones estratégicas para contribuir a resolver problemas sociales haciendo que las aplicaciones sean más eficientes y compactas.

EcoGaN™
Es la nueva gama de dispositivos de GaN de ROHM, que contribuyen al ahorro de energía y a la miniaturización al maximizar las características del GaN con el objetivo de lograr un menor consumo de energía de las aplicaciones, componentes periféricos más pequeños y diseños más sencillos que requieren menos piezas.

Ejemplos de aplicación
Ideal para una amplia gama de sistemas de alimentación eléctrica en equipos industriales y dispositivos de consumo, incluidos servidores y adaptadores de CA.

Ancora Semiconductors Inc
Es una filial de Delta Electronics, proveedor mundial de soluciones de gestión térmica y energética. Ancora se fundó en julio de 2022 y su actividad se centra en el desarrollo de dispositivos y tecnología de GaN. Para más información sobre Ancora, visite: https://www.ancora-semi.com/EN.

Terminología
HEMT de GaN
El GaN (nitruro de galio) es un material semiconductor compuesto que se utiliza en dispositivos de potencia de nueva generación. Su implantación está aumentando debido a sus propiedades superiores a las del silicio, como muestran sus excelentes características de alta frecuencia. HEMT es la sigla para High Electron Mobility Transistor (transistor de alta movilidad de electrones).

RDS(ON) × Ciss / RDS(ON) × Coss
Es un índice para evaluar el rendimiento de conmutación, donde Ciss se refiere a la capacitancia global desde el lado de entrada y Coss desde el lado de salida. Cuanto menor sea este valor, mayor será la velocidad de conmutación y menores las pérdidas durante la conmutación.




ESD (descarga electrostática)
Sobretensión que se produce cuando objetos cargados, como el cuerpo humano y los equipos electrónicos, entran en contacto. Este tipo de sobretensión puede provocar un funcionamiento anómalo o la destrucción de circuitos y equipos.

www.rohm.com

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